（GAS）Grinding After Sawing （GAL）Grinding After Laser

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ぐらいんでぃんぐあふたーれーざー

一般的には裏面研削工程の後にダイシング工程を行うが、工程を入れ替え、先にダイシング工程を行い、その後裏面研削工程を行うことにより、半導体チップを切断分離する。ブレード（GAS）とレーザ（GAL）を目的に応じて使い分ける。特徴は裏面チッピングがないことによる抗折強度の改善と工程間の搬送割れリスクの低減、GALプロセスでは、ダイシングスクライブ幅の狭化による、大幅なコストダウンが期待できる。総じて、低コストで50μm以下の極薄チップを製造できることが特長である。